西部数据空间怎么样 西部数据空间了解
随着5G时代的到来，智能手机从外在形态到内在配置都发生了变化。其中，外观上最明显的变化是全面屏，而配置上最有代表性的变化除了处理器就是存储和内存——UFS 3.0从2019年开始
随着5G时代的到来，智能手机从外在形态到内在配置都发生了变化。其中，外观上最明显的变化是全面屏，而配置上最有代表性的变化除了处理器就是存储和内存——UFS 3.0从2019年开始逐渐被旗舰机采用，2020年安装LPDDR5内存将成为趋势。2021年，LPDDR5+UFS 3.1已经成为旗舰机中的内置存储标准。
如果要说今年旗舰机尤其是5G手机最火的“标准配置”之一是什么，那么UFS 3.1一定要占个座。
毫无疑问，硬件升级可以显著提升用户体验，但相比处理器、基带、摄像头，用户对存储更新带来的体验变化可能没那么“敏感”。这是否意味着存储没有其他硬件重要？当然不是。
8月，西部数据发布了全新的移动存储产品——西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存设备。可以说这种新的存储产品需要容量和性能，相信在未来的旗舰手机中会经常见到。
简单看一下西数iNAND MC EU551的嵌入式闪存设备的资料-
1.容量从128GB到512GB。在手机空内部如此珍贵的今天，其封装尺寸仅为11.5×13×1mm，为手机OEM厂商提供了更大的设计空空间。
2.它支持UFS 3.1齿轮4/2通道。在iNAND SmartSLC Gen6智能缓存加速技术的支持下，性能强劲，最高顺序写入可达1550 MB/s，与上一代相比，随机读取性能提升约100%，随机写入性能提升约40%。
3.除此之外，还有写入助推器技术、主机性能助推器2.0技术和写入寿命优化技术加持，让这个存储粒子看起来异常强大。
iNAND系列移动存储产品Data West并不盲目追求大容量，而是在保证容量充足的前提下，在性能上毫不妥协。
同时，西数iNAND MC EU551的嵌入式闪存器件也严格遵守JEDEC标准的三个重要指标，即:
写加速器:SLC非易失性缓存，可以提高写入速度。
deep sleep:UFS设备的一种新的低功耗状态，旨在提供一种与其他功能共享UFS稳压器的低成本系统。
性能限制通知:当高温导致存储性能受限时，UFS设备可以通知主机。
存储对于5G时代的手机来说，更容易感知到，在实际操作中，这些优势主要体现在多任务处理的响应速度更快，玩游戏的延迟更低，画面更流畅，写真时间更短，省电效果更好。
手机用卡多的核心原因是长时间频繁使用闪存，导致闪存硬件性能下降。反应的最终结果是闪存读写性能的下降。针对手机越来越卡的情况，西数iNAND MC EU551的嵌入式闪存设备也有一定的优势。其内部的HPB性能提升系统，利用手机RAM缓解闪存的硬件压力，提升性能，解决闪存时间长了性能下降的问题，解决手机越卡越多的问题。
对于更依赖随机读写操作的手机设备，HPB功能可以显著提升体验。
西部数据公司产品市场部高级产品营销经理宋在西部数据的iNAND MC EU551嵌入式闪存设备发布会上表示，新发布的iNAND MC EU551嵌入式闪存产品已经送往多家设备厂商进行测试，未来将根据客户的实际需求进行量产。
西部数据公司中国智能终端产品事业部高级销售总监文房女士；
西部数据公司产品市场部高级产品营销经理宋
最后，西部数据公司中国智能终端产品事业部高级销售总监文房女士表示，“只有存储设备性能的不断发展，才能更好地满足网速提升带来的变化。如果单纯提高网速，手机存储设备跟不上，那就没有更好更快的体验。”
西方的嵌入式闪存器件iNAND MC EU551是iNAND系列产品的新成员，十多年来一直受到全球各大智能手机厂商的信赖。中国西部持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计师合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS 3.1解决方案，从而为厂商提供经过测试的解决方案。现已提供western data in和MC EU551 UFS 3.1的嵌入式闪存器件样品。有三种版本:128GB、256GB和512GB。
相信在未来手机的使用过程中，每一次手机的开关机、APP、相机等功能的开启，都需要底层存储芯片的快速响应，考验着存储的顺序读写能力。凭借先进的存储技术，西部数据结合技术生态系统的深度整合以及与客户的密切合作，将不断突破创新边界，提供更优质、更先进的存储技术和解决方案。西方的嵌入式闪存设备iNAND MC EU551 UFS 3.1强大的顺序读取性能可以轻松满足这部分需求，进一步帮助用户探索无限数据的可能性。
