CMP抛光液为何成为芯片国产化的瓶颈？

CMP抛光液谈不上是芯片制造工艺中的瓶颈，因为CMP抛光液早已实现国产自主化，国内企业生产的此类产品与国外的已无差异，甚至有些品类做得更好。
芯片制造工艺，可分为两道工序，一是

CMP抛光液谈不上是芯片制造工艺中的瓶颈，因为CMP抛光液早已实现国产自主化，国内企业生产的此类产品与国外的已无差异，甚至有些品类做得更好。

芯片制造工艺，可分为两道工序，一是晶圆制造工序，二是晶圆上光刻集成电路图工序。

晶圆制造工序的核心技术：

CMP抛光液技术和CMP抛光垫技术

目前这两种核心技术，国内企业已经实现了技术壁垒突破，完全可以自主生产。包括相关的抛光机，国内的产品与国外的产品已经旗鼓相当。

CMP抛光液由磨料（常用的有纳米级二氧化硅粒子和纳米级三氧化二铝粒子）、稳定剂、氧化剂、PH调节剂、有腐蚀功效的表面活性剂、成膜剂等组成。

CMP抛光液的核心材料是磨料，国产的磨料技术，有的品类已经比国外产品好很多。

综上所述，CMP抛光液不能说是芯片国产化的瓶颈，目前芯片制造的技术壁垒是光刻机和光刻胶制造技术。

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