三个引脚的二极管 三个脚的二极管接线图

以NPN三极管为例:发射极（e）在基极(b)的上面，而集电极（c）在基极的下面，呈e_b_c排列状况。且体积和面积e极最小，b极最薄，c极最大。
e极和c极为N型参杂多自由电子，b极为p型参杂多空穴。

以NPN三极管为例:发射极（e）在基极(b)的上面，而集电极（c）在基极的下面，呈e_b_c排列状况。且体积和面积e极最小，b极最薄，c极最大。

e极和c极为N型参杂多自由电子，b极为p型参杂多空穴。且参杂浓度: e极比c极高一个～数量级，比b极高两个数量级（b区近似看成没有参杂），也就是说，参杂浓度: Ce＞＞Cc＞＞Cb。

三级管不加电压的自由状态时，在b-e之间由于多子扩散形成发射结: e区侧电子扩散到b区，形成e区指向b区的电场，阻止e区自由电子的进一步向b区扩散。同样，在b-c交界处形成集电结，c区自由电子扩散到b区，形成c区指向b区的电场，阻止c区电子进一步扩散到b区。这样，发射结和集电结都在b区占住一定厚度的体积区域，但是，在发射结和集电结之间还有一段距离，发射结和集电结在b区没有重叠；而且，由于参杂浓度Ce＞＞Cc，发射结厚度也远大于集电结厚度。

现将b极接地保持零电位，e极接负电位-Ve，给c极接正电位＋Vc。这样，发射结上外加了一个b→e的电场，抵消或减弱了发射结内原来平衡的自有电场，这时候e区自由电子再次向b区扩散，直到发射结内自有电场与外加电场以及自由电子扩散达成新的平衡，这样，发射结厚度增加，在b区内向c区靠近。由于发射结电场和自由电子达到平衡，此时发射结在小的－Ve作用下，并没有形成规模电流，只有极小的扩散泄露电流，此时发射结处于截止状态Ie≈0。

而集电结在+Vc作用我集电结内c→b电场加上，集电结厚度减小，集电结b区自由电子部分回流到c区。此时，集电结反接，没有电流流过，也处于截止状态Ic≈0。

继续将发射极电位拉低-Ve↓，同时拉高集电极电位+Vc。发射结继续增厚，直至占住整个b区；集电结继续减薄，直至c→b的自有电场消失，甚至在b区和c区间形成b→c的电场。在发射结未到达c区前，由于b区多子（极少），无法形成规模电流。此阶段仍为截止状态，Ie和Ic都近似为零。

再继续将发射极电位拉低-Ve↓，同时拉高集电极电位+Vc。发射结厚度占住整个b区，到达c区。发射结内电场与集电结内电场重叠，且方向一致(e→b→c)。此时b区内全部被发射结占住，内部充满了e区过来的自由电子，这些自由电子与b区内的空穴复合后仍有大量富余。此时b区内发射结内的自由电子在e→b→c的电场作用下，分别流向b极和c极。由于集电极面积和体积最大，同时集电结电位又最高，大量自由电子拥向集电结，形成Ic,而只有少部分自由电子流向b极形成Ib；此时e极电位-Ve继续拉低（或者是升高b极电位），则将增大e区自由电子向b区运动的流量。可是增大的部分电流也大部分被集电极c区吸收，从而形成了β=Ic/Ib状态的放大区。

-Ve拉低到一定状态，e区再没有多余电子增大电流，即便-Ve继续拉低（或b极电位升高），Ib和Ic都不再有明显变化，反而是β＝Ic/Ib的比值下降。此时三极管处于饱和状态。

再继续拉低-Ve（或升高b极电位），到一定程度，e极和b极发生击穿，三极管即烧毁了。

提问者所提问题一知半解，是问电子三极管还是晶体三极管还是场效应管？这些管子都有三个电极，工作原理与作用确大不相同。